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    伯東 KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備 VO2 薄膜

    起訂量: 面議
    價 格: 面議
    品牌: KRI
    供貨總量: 面議
    發貨期限: 自買家付款之日起 3 天內發貨
    所在地: 上海
    有效期至: 長期有效
    最后更新: 2023-08-30 11:16
    關注人數: 1266
    公司基本資料信息
    伯東企業(上海)有限公司
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      KRI
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      上海

    VO2 薄膜作為一種熱門的功能材料, 具有**秀的相變特性和電阻開關特性, 在微測輻射熱計、光存儲器等光學器件**域具有廣泛的應用前景.

     

    天津某材料制造商采用伯東 KRI 射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺射沉積制備 VO2 薄膜, 以獲得均勻性好, 沾污少, 附著力強, 較高的透過率的 VO2 薄膜.

     

    KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

    射頻離子源型號

    RFICP380

    Discharge 陽極

    射頻 RFICP

    離子束流

    >1500 mA

    離子動能

    100-1200 V

    柵極直徑

    30 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

    流量

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    長度

    39 cm

    直徑

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     KRI 考夫曼離子源 RFICP 380

    客戶采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP380 產生離子束不斷轟擊源極靶材和工件, 工件在離子束轟擊下迅速被加熱至高溫, 源極靶材在轟擊作用下濺射出的合金元素不斷奔向工件表面, 經沉積擴散過程形成一定厚度的涂層.

     

    KRI 射頻離子源 RFICP380 運行結果:

    1. 獲得的薄膜在可見光波段具有較高的透過率

    2. 薄膜較為平整且對可見光的透過率較高為38%, 退火處理提高了薄膜的結晶性和透過率

    3. 制備出單斜結構的VO2薄膜, 且具有晶面擇**取向

    4. 制備的薄膜均勻性好, 沾污少, 附著力強, 沉積速率大, 效率高, 產量高

     

    伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品**的指定代理商.

     

    若您需要進一步的了解 KRi 霍爾離子源, 請參考以下聯絡方式
    上海伯東: 羅小姐                                   臺灣伯東: 王小姐
    T: +86-21-5046-3511 ext 108              T: +886-3-567-9508 ext 161
    F: +86-21-5046-1322                            F: +886-3-567-0049
    M: +86 152-0195-1076( 微信同號 )      M: +886-975-571-910
    www.hakuto-china.cn                        www.hakuto-vacuum.com.tw
    上海伯東版權所有, 翻拷必究!

    聯系時請說是在機電商情網看到我的,謝謝!

     
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