上海某大學研究室在離子濺射制備類金剛石 Ta-C 涂層研究中采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP220 作為濺射源
KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:
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射頻離子源型號 |
RFICP380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
該實驗以 99.9% 純度 Ti 靶和純度石墨靶為原材料, 通過離子濺射技術在硬質合金表面制備 Ta-C涂層.
研究結果:
石墨靶濺射時間 55min 時制備的 Ta-C涂層綜合性能較**, 涂層摩擦系數較低達到 0.13, 對膜副表面形成了石墨轉移膜, 對 Ta-C 涂層起到潤滑作用.
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