北京某研究院采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積制備碳薄膜, 同時在室溫和無催化層襯底的條件下, 探究離子束能量和沉積時間對碳納米薄膜成膜的影響.
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:
|
離子源型號 |
RFICP220 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
|
離子動能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長度 |
30 cm |
|
直徑 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
該濺射沉積是在氣壓為 1.33×10-4Pa 和襯底溫度為室溫條件下,利用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射石墨, 在無催化層的硅(Si)襯底上加工碳納米薄膜.
通過拉曼光譜對碳納米薄膜表面物質的組成進行了分析; 利用掃描電鏡(SEM)和原子力顯微鏡(AFM)來顯示薄膜的表面結構; 實驗結果顯示, 輻照時間對 ID/IG 的比值以及碳晶粒的大小都有顯著的影響, 并且高離子束能量能夠促進碳晶粒的結晶. 同時, 在高能量的離子束下沉積碳納米薄膜, 在 Si 表面發現了特殊圖案的碳納米結構: 雪花狀, 方塊狀及四角星狀.
KRI 離子源的**特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
因此，該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國 Pfeiffer 真空泵, 檢漏儀, 質譜儀, 真空計, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國HVA 真空閥門, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機, 美國 Ambrell 感應加熱設備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品**的指定代理商.
若您需要進一步的了解詳細信息或討論, 請參考以下聯絡方式:
上海伯東: 羅**生 臺灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
www.hakuto-china.cn www.hakuto-vacuum.com.tw
伯東版權所有, 翻拷必究!