伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP140 技術參數:
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型號 |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
磁控濺射是物理氣相沉積技術中一種手段比較豐富的方法, 可以通過控制調節鍍膜參數, 得到更加致密, 均勻, 結合力出色的膜層, 而且磁控濺射屬于干法鍍膜, 不存在電鍍化學鍍中的鍍液腐蝕基體和廢液污染問題, 從環境保護的角度來看, 磁控濺射較電鍍化學鍍更加綠色環保.
在釹鐵硼(NdFeB)磁體表面利用磁控濺射沉積不同錳含量的鋁錳合金薄膜. 磁控濺射制備的鋁錳合金薄膜表面光滑致密. 薄膜結構受到錳含量的影響, 當薄膜錳含量從6.80at%上升到25.78at%時, 薄膜結構由晶態逐漸轉變為非晶態, 達到 35.67%時, 薄膜中析出金屬間化合物Al8Mn5. 鋁錳合金薄膜的耐腐蝕性能受薄膜成分變化的影響很大, 當薄膜中錳含量達到25.78% 時, 此時薄膜呈非晶態結構, 薄膜的自腐蝕電流密度達到 1.198×10-7A/cm2, 比釹鐵硼基體降低了 2 個數量級,耐腐蝕性能**好.
KRI 離子源的**特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.
KRI 離子源是**域公認的**導者, 已獲得許多專利. KRI 離子源已應用于許多已成為行業標準的過程中.
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