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    KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用

    起訂量: 面議
    價 格: 面議
    品牌: KRI
    供貨總量: 面議
    發貨期限: 自買家付款之日起 3 天內發貨
    所在地: 上海
    有效期至: 長期有效
    最后更新: 2023-05-04 12:00
    關注人數: 535
    公司基本資料信息
    伯東企業(上海)有限公司
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    您還可以:
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      KRI
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      上海

    上海伯東美國 KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用
    上海伯東美國 KRi 考夫曼品** RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和  IBD 離子束沉積是其典型的應用.
    KRi 離子源


    KRi 離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用
    通常安裝兩個離子源
    主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源
    一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性氣體
    基板

    聯系時請說是在機電商情網看到我的,謝謝!

     
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